半导体材料领域的巨星陨落——缅怀梁骏吾院士
中国半导体材料领域的杰出专家，中国科学院半导体所研究员梁骏吾院士，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。这位杰出的科学家，一生致力于半导体材料科研事业，取得了众多的科研成果，为我国半导体产业的发展做出了巨大的贡献。
梁骏吾院士生于湖北武汉，于1955年毕业于武汉大学物理专业。他曾在前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所深造，并获得副博士学位。他从事半导体科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅材料的奠基人。
在半个多世纪的科研生涯中，梁骏吾院士攻克了无数科研难题。上世纪60年代，他解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年，他制备出室温激光器用GaAs液相外延材料，为我国的半导体产业奠定了坚实的基础。他还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。
进入80年代和90年代，梁骏吾院士的科研事业更加辉煌。他首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。他还研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。
梁骏吾院士不仅是一位杰出的科学家，也是一位充满热情和爱心的人。他曾在采访中表示，希望自己的科研经历能够带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。
斯人已逝，但他的精神永驻人心。梁骏吾院士的名字熠熠生辉，值得我们永远铭记。他的离世让我们感到痛惜，但他对半导体产业的贡献将永载史册。
他的成就不仅体现在科研成果上，更体现在他对科研事业的热爱和执着上。他的精神和事迹将激励更多的年轻人为半导体产业的发展贡献自己的力量。让我们永远怀念梁骏吾院士，愿他一路走好！
来源新华网微信综合光明日报、中科院半导体所（IDbdtdsj）。在此感谢梁骏吾院士对半导体产业的巨大贡献，他的精神和事迹将永远被我们铭记。我们也深感痛惜他的离世，愿他在天堂安息！
